DRAM

Benefits

• 更高的性能
• 增加数据速率
• 增加RAS(可靠性、可用性、可服务性)
• 使继续扩展

Benefits

• 高性能
• 改善电能节约
• 增加数据速率
• 快破裂访问

• Densities
  4Gb - 32Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  1.2V

Benefits

• 支持大内存子系统
• 提高功率效率
• 高性能
• 增加带宽

• Densities
  1Gb - 8Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  1.35V, 1.5V

Benefits

• 支持大内存子系统
• 低压节能选项
• 扩展操作温度

• Densities
  512Mb - 4Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  1.8V

Benefits

• 扩展操作温度
• JEDEC-compliant

• Densities
  256Mb - 1Gb
• Width
  x4, x8, x16
• Voltage
  2.5V, 2.6V

Benefits

• 扩展操作温度
• JEDEC-compliant
• 易于实施

• Densities
  64 mb - 512 mb
• Width
  乘16×8,x32
• Voltage
  3.3V

Benefits

• 高性能
• 超低总线周转时间可实现更高的可持续带宽
• 是数据包缓冲和检测的理想选择
• 扩展操作温度

• Densities
  288Mb - 1.125Gb
• Width
  x9, x18 x36
• Voltage
  1.35V, 1.8V

Benefits

• 支持多种技术:LPSDR、LPDDR、LPDDR2、LPDDR3和LPDDR4
• 低待机电流和低自我刷新，延长电池寿命
• 温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新(PASR)模式

• Densities
  512 mb - 32 gb
• Width
  X16, x32, x64, x128
• Voltage
  0.6V, 1.1V, 1.2V, 1.8V