多片包

获得关键的特点和功能,以最大化您的设计-高性能, 高质量的, 功率效率, 密度范围宽, 小包装尺寸, 工业温度范围和更多-从我们广泛的工业标准多芯片封装(MCPs)组合.

探索微米多芯片封装

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e.MMC-Based MCP
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好处
  • 嵌入式管理NAND和高性能LP动态随机存取记忆体在一个单一的包中
  • 复杂高密度NAND应用的简化软件解决方案
  • 技术
    e.Mmc, lpddr2 sdram, lpddr3 sdram, lpddr4 sdram
  • 密度
    e.MMC: 4GB–32GB; LP动态随机存取记忆体: 4Gb–48Gb
  • Wfbga, vfbga, tfbga, pop
UFS-Based MCP (uMCP)
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好处
  • 嵌入式托管NAND和高性能LP动态随机存取记忆体在单个包中.
  • 支持在小内存占用范围内实现高密度、低功耗存储.
  • 技术
    Lpddr4 sdram, lpddr4x sdram, ufs 3d nand
  • 密度
    UFS: 32GB; LP动态随机存取记忆体: 24Gb (3GB)
  • WFBGA
NAND-Based MCP
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好处
  • 为数据密集型应用程序提供高密度
  • 提供高速度,与x8, x16和x32总线宽度
  • 通过SLC NAND实现高可靠性,可提供多达100,000个PROGRAM/ERASE周期
  • 技术
    lpddrsdram, lpddr2 sdram, lpddr3 sdram, lpddr4 sdram
  • 密度
    NAND: 1Gb - 8Gb
  • Wfbga, vfbga, tfbga, pop
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