常见问题

Products (9)
DRAM (7)
DDR4更快(11)
与DDR3相比，DDR4提供了哪些新的节能特性?

DDR4比DDR3增加了几个新的节能功能，包括:

1. DQ引脚的低功率伪开路漏极驱动器

2. 可选ODT Input Buffer Disable Mode For Power-Down特性

3. 可选的最大节能模式特性

4. 可选命令地址时延(CAL)

DDR4能以较慢的DDR3速度运行吗?

DDR4回溯到DDR3-1333是向后兼容的. 对于不需要速度提高到DDR3-1333和DDR3-1600以上的系统, DDR4可以用更低的功耗来支持这些较慢的带宽需求.

DDR4设备是在哪里生产的?

DDR4在美国弗吉尼亚、日本、台湾等地的美光工厂生产.

DDR3上有什么特性被DDR4删除了吗?

Not really; however, DDR4 does not require an external VREFDQ，但它确实提供了一个内部生成的VREFDQ 需要由DRAM控制器校准.

DDR4和DDR3使用相同的信令协议吗?

Not exactly.  DDR4仍然在数据总线上使用VTT中点终端以获得良好的信号质量, 然而，与全推挽式驱动器相比，它使用的是伪开路驱动器，其开关电流更小.

DDR4和DDR3使用相同的电源吗?

不，DDR3需要VDD and VDDQ equal to 1.5V, VREFCA equal to 0.5 x VDD, and VREFDQ equal to 0.5 x VDDQ，而DDR4需要VDD and VDDQ equal to 1.2V, VREFCA equal to 0.5 x VDD, and VPP equal to 2.5V.

什么是DDR4的VPP供应，为什么DDR4有它?

VPP替代了包括DDR3在内的DDR SDRAM早期版本中的内部字线充电泵. 与内部电荷泵相比，外部提供这种电压允许DDR4以更经济的方式在更低的电压水平上运行.

DDR3和DDR4是否pin-to-pin兼容?

不，DDR4 ballout与DDR3 ballout不同. 然而，DDR4使用与DDR3相同的包尺寸和球距.

DDR4使ddr3的数据速率加倍，预取也从8n增加到16n?

No, DDR4 kept the 8n-bit prefetch used by DDR3; thus, BL8 is still supported.

DDR4最后添加了边界扫描或JTAG支持吗?

DDR4现在有一个Connectivity测试模式，通过启用边界扫描控制器简化测试. 设计工作与边界扫描设备, 所有Micron ×4都支持CT模式, ×8, 和×16设备(尽管JEDEC只需要x16). CT模型允许边界扫描设备在CT模式下从DDR4加载和读取图形. DDR4不直接支持IEEE 1149.1.

DDR4是否支持DLL禁用模式或DLL关闭模式较慢的时钟速率?

是的，DDR4支持DLL-off模式，类似于DDR3中的DLL Disable模式，最高可达125mhz

的DDR3 SDRAM (15)
DDR3电压是否向后兼容?

是的，我们所有的.35V部件向后兼容1.5V.

我能以低于300兆赫兹的时钟速度运行美光的DDR3内存吗?

Yes. Micron支持使用模式寄存器禁用DLL的可选特性, DLL禁用模式. 该特性允许DRAM在低于125 MHz的频率下运行, 但是，定时仍然必须满足刷新间隔. 当运行在DLL禁用模式, 适用特殊条件-详细信息和限制请参阅设备数据表.

如何确定我的CAS写延迟(CWL)?

在DDR3中，对于给定的时钟频率范围，只有一个CWL是有效的. - tCKavg = 2.5ns to <3.3ns, CWL = 5 - tCKavg = 1.875ns to <2.5ns, CWL = 6 - tCKavg = 1.5ns to <1.875ns, CWL = 7 - tCKavg = 1.25ns to <1.5ns, CWL = 8

什么组件密度是可用的?

美光支持1Gb、2Gb、4Gb和8Gb的密度.

什么是爆破刀?

由于在DDR3中使用了8n预取架构，真正的突发长度为4 (BL4)是不可能的. 突发砍模式在DDR3中可用来帮助缓解这一问题, 也可在较新的sdram中使用. 在DDR3中使用突发切碎，突发的最后4位本质上是屏蔽的. 在《沙巴体育结算平台》(BC4)中的计时不能被视为真正的BL4. 的读与写, 选择写入读取, 并选择WRITE-to-PRECHARGE转换, 系统可以在BC4模式下实现时钟节约. 当执行读到读或写到写转换时, timing must be treated like BL8; no clock savings will be realized.  DDR3只支持BC4和BL8, 尽管也有一个即时(OTF)选项，通过地址引脚A12在它们之间切换.  有关更多细节，请参阅设备数据表.

什么是动态ODT?

动态ODT (Rtt_WR)使DRAM在写入期间改变终止值，而不必执行MODE REGISTER SET命令. 当Rtt_Wr和Rtt_Nom同时启用时, 在WRITE突发开始时，DRAM将从Rtt_Nom更改终止值为Rtt_Wr. 一旦爆发完成，终止将被更改回Rtt_Nom的值. Rtt_Wr可以独立于Rtt_Nom使用，但终止将只在写.

ZQCL和ZQCS命令有什么区别?

ZQCL表示ZQ校准长. 该命令必须在上电和初始化序列期间发出，需要512个时钟才能完成. 上电和初始化后，该命令可以在DRAM空闲时发出. 这些后续命令只需要246个时钟. 当需要的阻抗纠错比ZQCS能提供的更多时，使用此命令. ZQCS是ZQ校准的简称. 该命令可以在DRAM空闲时执行. 一个ZQCS可以修正最小值0.5%的阻抗误差，需要64个时钟.

什么是MPR?

MPR是一种多用途寄存器. 它是一种专门的寄存器，设计用来从DRAM中读取预定义的数据. 数据是一个比特宽，输出在一个主要的DQ上. 对于Micron DDR3部件，主要的DQs是DQ0用于x4/x8和DQ0/DQ8用于x16. MPR中定义了两个位置. 一种允许读取预定义的数据突发—在本例中为01010101. 另一个位置用于从模具热传感器输出刷新行程点.

工作电压是多少?

DDR3运行在Vdd = VddQ = 1.5V ±0.075V. DDR3L运行在Vdd = VddQ = 1.35V (1.283–1.45V) 

DDR3的输出驱动器阻抗是多少?

DDR3的默认输出驱动器阻抗为34欧姆. 阻抗是基于校准到外部240欧姆电阻RZQ.

RESET#引脚的用途是什么?

RESET#是DRAM的主复位. 它是一个有源低，异步输入. 当RESET#被断言时，DRAM输出被禁用，ODT将关闭(High-Z). DRAM计数器、寄存器和数据将是未知的. RESET必须作为上电和初始化序列的一部分执行. 在这一序列中，RESET#必须保持低至少200µs. 上电和初始化后，RESET#可以在任何时候被断言. Once asserted, 它必须保持LOW至少100ns，之后必须执行该部件的完整初始化.

什么是“写平”?

为提高信号, DDR3模块的命令采用了飞近技术, addresses, 控制信号, and clocks. 由于信号路由, 这种技术在DRAM的时钟和DQ总线之间有一个固有的时间偏差. 写调平是系统控制器消除DQ频闪灯(DQS)与DRAM时钟关系的一种方法. DRAM提供了一个简单的反馈功能，允许控制器检测歪斜量，并进行相应的调整.

什么是“ZQ校准”?

ZQ校准命令可以在进程上校准DRAM的输出驱动程序(Ron)和ODT值(Rtt), voltage, 当一个专用的240欧姆(±1%)电阻从DRAM的ZQ引脚连接到地面时，温度. In DDR3, 存在两个不同的校准命令:ZQ校准长(ZQCL)和ZQ校准短(ZQCS). ZQCL通常用于上电初始化和复位序列, 但可由控制人在任何时候签发, 取决于系统环境. ZQCS is used to perform periodic calibrations to account for small voltage and temperature variations; it requires a smaller timing window to complete.

DDR3提供什么终止值?

DDR3支持120、60、40、30、20欧姆的RTT_nom值. 动态ODT值(RTT_WR)分别为120和60欧姆.

美光是否支持DDR3的扩展温度范围?

Yes. Micron DDR3部件将支持一个Tcase 0°C至95°C.

可编程门阵列控制的DDR2 SDRAM (9)
DDR2-1066可以带两个槽位吗?

Using DDR2-1066 with two slots is unrealistic; simulations have not shown acceptable margins.

模具终止(ODT)如何影响功耗?

模端终止(ODT)功率非常依赖于应用程序. ODT也是可变的，这取决于DRAM的EMR中的设置. 使用DDR2功率计算器来确定值.

在点对点系统中, ODT只在WRITE周期上是活动的, 并且不会在空闲和读周期中消耗能量. 在这些情况下，星载终止将消耗电力. 在一个典型的应用程序中，ODT功率应该是DDR2 DRAM总功率的2 - 3%.

Vref电源引脚的功率是多少?

Vref引脚不吸功率，只吸漏电流，小于5µA.

是否允许VREF浮动在自我刷新模式?

不，它必须维护在VDDQ/2.

DDR2 SDRAM应该一直打开ODT吗?

It’s not recommended, as the SDRAM reads will lose voltage margin; but technically, it is allowed.

DDR2中可以禁用DLL吗? DDR2可以像DDR3一样进入DLL Disable模式吗?

尽管在某些情况下，DRAM可以在关闭DLL的情况下工作, JEDEC没有记录这种运作模式，也没有支持这种模式. 因此，每个DRAM设计在配置为禁用DLL运行时可能表现不同. 美光不支持或保证禁用DLL的操作. 运行DLL禁用的DRAM可能会导致设备故障和/或违反一些DRAM输出定时规范.

DDR2 RDQS引脚是干什么用的?

RDQS的唯一目的是支持x4 RDIMM系统中x8 RDIMM的使用. RDQS引脚使一个x8 DDR2 SDRAM模拟两个x4s.

当DDR2与单端DQS一起使用时，它的最大时钟速率是多少?

答案取决于设计实现. 数据设置和保持时间应该设计为150ps或更多的裕度.  在数据表中有单端DQS转换速率降额定值表，必须用于评估计时. 建议在计算时充分分析定时, 以及使用信号完整性仿真和硬件表征.

是否可以运行时钟频率低于DDR2数据表中的指示?

对于READ操作，DRAM将频闪灯(s)与数据对齐. 大多数控制器通过感应频闪灯来确定数据窗口的位置. 这种精细的频闪灯/数据对齐要求每个DRAM都有一个内部DLL. DLL被调优为在有限的频率范围内工作, 在每个DRAM数据表中，哪些是被识别的. 在这些指定的限制之外运行DRAM可能会导致DLL变得不可预测. DRAM被测试在数据表限制内运行. 美光不建议或保证DRAM操作超出这些预定义的限制.

的DDR SDRAM (10)
-6或-6T速级DDR部件是否可以用更快的-5B速级部件代替，而不会因为2而遇到问题.6V operation? 客户能否以较慢的速度运行该部件?

是的，所有速度等级都是向后兼容的. 因此，-5B可以在-6T时序和-6T电压水平下运行(2.5V). 在DDR400速度下，美光零部件要求(符合JEDEC标准)Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1V. 在较慢的速度等级(DDR333到DDR200), 微米部件是向后兼容的, 仅要求Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2V.

我需要一个单独的电压调节器来供应Vref电源吗?

没有要求使用单独的调节器来为美光的DDR SDRAM提供Vref. However, 因为Vref是所有单端输入的参考电压, 由于与其他I共享调节器而产生的任何噪声.C.或使用VDD电源的分压器, 会直接影响这些输入的噪音裕度吗. 许多多降系统已经有一个指定的电压调节器用于DDR存储器. 其他集成点到点存储器的系统通常在VDD和VSS之间使用一个简单的分压器电阻网络.  系统设计者应该评估每个特定系统的优先级和权衡，并使用对系统最优的供电方案. 

美光计划支持3多久.3V SDRAM?

美光正在支持并计划支持SDR数年. 有关更多信息，请联系当地的美光销售代表.

美光计划支持DDR多久?

美光正在支持并计划支持DDR数年. 有关更多信息，请联系当地的美光销售代表.

在自我刷新期间是否需要VREF? 我想把DDR内存设置为自我刷新模式，关闭CPU电源(系统是电池供电的). 我可以禁用VREF，仍然有正确的自我刷新操作?

Yes. 自刷新时需要VREF. 在自刷新模式期间，所有DDR组件的片上地址计数器仍在工作, 所以VDD必须在规定的数据表限制内进行维护. 同样，在DDR内存进入自我刷新模式后，VREF不能被禁用. 这样做很容易导致无意中退出自我刷新. You should understand that VREF draws almost no power; any current drawn by VREF is negligible when compared to VTT and the core VDD. DDR器件通常使用差分对共源放大器作为SSTL_2输入接收机. 因为VREF引脚主要用作这个电路的输入，所以它的电流很低. It is so low, in fact, 该器件的输入漏电流(~5µA)可被认为是VREF引脚的最大电流要求. 典型的VTT电源来自电路板上的其他地方，并依赖于除DRAM设备外模块/系统上使用的其他组件.

在DDR上，当超过DQS写postamble (tWPST)最大规格时会发生什么? 这会引起什么问题呢?

tWPST最大规格不是一个设备限制. 该参数将使设备以更大的值运行, 但是系统性能(总线周转)会相应下降.

在DRAM上，是否可以给出READ或WRITE命令来代替刷新?

如果在刷新时间(tREF)内读取或写入所有不同的行地址, 不需要执行刷新. (不同的行地址的行数与刷新周期的行数相同. 例如，在8192 /64ms的情况下，行数等于8192.) With DRAM, 选择行地址会导致与刷新相同的操作, 因此不需要执行REFRESH命令.

在DRAM上，可以留下未使用的DQ(数据)引脚浮动?

美光公司建议将未使用的数据引脚绑高或低. 因为美光在DRAM制造中使用CMOS技术, 让它们浮动可能会让引脚容易受到噪声的影响，并创建一个随机的内部输入水平. 未使用的引脚可以连接到VDD或通过电阻接地.

无连接(NC)、无功能(NF)和不使用(DNU)引脚的区别是什么? 应该如何处理到它们的外部连接?

NC(无连接)引脚表示没有内部连接或允许的设备引脚. 美光公司建议不要对这个引脚进行外部连接. 但是，如果无意中建立了连接，并不会影响设备的正常运行. 有时NC引脚可以保留以备将来使用. 参考零件的数据表，确认引脚是否保留以后使用. NF(无功能)引脚表示与设备电连接的设备引脚，但其信号在设备操作中没有功能. 美光公司强烈建议不要对这个引脚进行外部连接. DNU(不使用)引脚表示一种设备引脚，该设备引脚可能有内部连接，也可能没有内部连接，但不允许外部连接. 美光要求没有外部连接到这个引脚. 更多细节请参阅零件的数据表.

DDR SDRAM功能保证的最大结温是多少?

请参阅美光热应用技术说明的第3页: TN-00-08. 如果不关心功能或操作, 请参阅零件数据表上的存储温度规格限制.

SDRAM (3)
CKE在整个SDRAM操作(初始化和正常操作)中可以被绑定为HIGH吗??

JEDEC does not specify the exact state of CKE during initialization; it is supplier specific. 美光公司强烈建议在应用稳定的CLK信号之前，CKE应保持在LVTTL逻辑低电平. 正常运行时，CKE可被绑高. CKE初始状态为LOW，可以防止部件收到非法的LMR命令, 哪些因素会使部分处于未知或意想不到的状态.

是否可以改变SDRAM时钟频率?

Micron SDR SDRAM数据表要求在访问或预充电状态下时钟频率保持恒定. However, 因为SDRAM中没有DLL, 可以动态地改变时钟频率, 尽管美光不建议这样做. 如果设计需要移动频率, 降低SDRAM的频率可能是可以的, 即使你没有做LMR和CAS延迟改变. 频率增加时，需要满足tCK和CAS时延规格. 在任何情况下，所有其他数据表计时规格必须始终遵守.

特别提款权SDRAM有最低时钟频率吗?

因为SDR SDRAM没有DLL，所以没有最小时钟频率.  However, 如果设备的时钟频率较低, 在时钟边缘保持一个合理的快速转换速率仍然很重要，以避免设置和/或保持时间违规的风险. 同样，对于45mhz的工作频率，tCKS = 3.0ns. 有关更多信息，请参见SDRAM转换速率违规LVTTL降额(TN-48-09).

RLDRAM (6)
CK/CK#和DK/DK#是真正的差分输入吗?

是的，CK/CK#和DK/DK#输入缓冲区是真正的差分输入. 两套时钟都需要满足RLDRAM数据表中时钟输入操作条件表中定义的规格.

我可以将“请勿使用”(DNU)引脚连接到地线(GND)吗??

Yes. 然而，当ODT启用时，DNU引脚将连接到VTT. 在这些情况下，将DNU引脚连接到GND将对VTT电源造成较大的负载.

RLDRAM II存储器和SRAM存储器有什么相似之处?

 简化的命令集只有四个命令和一个快速循环时间，低至7ns tRC

我听说过RLDRAM 3上新的多行写功能. 这个特性到底是什么?

多行写是一种允许类似于sram的随机读访问时间的特性. Using this feature can reduce RLDRAM 3’s already low tRC (<10ns) by up to 75% during reads. 通过RLDRAM 3模式寄存器, 你可以选择写信给其中一个, two, 或者同时有四家银行. 通过将相同的数据存储在多个银行, 内存控制器可以灵活地决定从哪个银行读取数据，以最小化tRC延迟.

RLDRAM 3添加了什么新功能?

 多行写，支持类似于sram的随机读能力. MULTIBANK REFRESH使得管理刷新开销比以往任何时候都更加灵活, 允许一到四个银行同时刷新. RLDRAM3还支持镜像功能，以简化翻盖设计的布局.

我是否能够利用任何现有的DRAM技术来简化RLDRAM 3在我的系统中的采用?

Yes. 尽管RLDRAM 3是一种新的架构, 它利用了DDR3和RLDRAM 2的许多特性，使采用和集成尽可能容易. 命令协议, addressing, 频闪方案与RLDRAM 2相同, 在I / O, AC timing, 和阅读训练寄存器非常类似于DDR3.

LPDRAM (11)
美光的LPDRAM沙巴体育结算平台符合环保/RoHS标准吗?

Yes. 美光的绿色工程项目符合rohs标准，符合世界上大多数新兴的环境标准, 包括亚洲和欧洲.

你们的LPDRAM部件是jedec兼容的吗?

我们设计的零部件满足或超过JEDEC的规格. 随着标准的改变，我们将做必要的改变，以确保我们的零件符合新的规格. 任何变更将在沙巴体育结算平台变更通知(PCN)中注明，并发送给我们的客户.

LPDDR4X和LPDDR4有什么不同?
VDDQ从1减少.1V to 0.6V的LPDDR4X进一步降低功率从LPDDR4. LPDDR4X的最大数据速率与LPDDR4相同，为4266Mbos/pin. LPDDR4X支持单端CK/DQS特性.
LPDDR5和LPDDR4X有什么不同?

LPDDR5实现每引脚6400Mbps的最大数据速率，即1.比LPDDR4快5倍. 最大数据速率4266Mbps，同时提高能源效率(pJ/bit). 在LPDDR5中引入了许多功率降低特性. 请参阅下面的技术说明.

tn - 62 - 02: LPDDR5接口: LPDDR5接口描述，与LPDDR4X的区别
Rev. A – 4/19

tn - 62 - 03: LPDDR5培训: LPDDR5 SDRAM培训概述
Rev. A – 5/19

tn - 62 - 04: LPDDR5孵蛋的: LPDDR5的时钟描述，包括与LPDDR4的简要比较.
Rev. A – 5/19

tn - 62 - 06: LPDDR5架构: LPDDR5架构概述
Rev. A – 7/19

TN-62-07: LPDDR5 ZQ校准: LPDDR5 ZQ校准概述
Rev. A – 12/19

Tn-62-08: lpddr5 nt odt: lpddr5 nt odt
Rev. A – 7/19

移动LPDRAM，汽车LPDRAM和嵌入式LPDRAM之间的区别是什么?

骰子没有区别. 我们选择添加“移动”, “汽车”和“嵌入式”前缀我们的LPDRAM沙巴体育结算平台线，以配合每个细分市场. 移动设备是指智能手机和平板电脑等便携式设备. Automotive是指与机动车辆有关的装置. 嵌入式是专为一两个特定功能而设计的专用计算机系统的设备, 不像通用电脑. 在嵌入式应用程序, 该设备作为一个完整的设备系统的一部分被嵌入, for example, 变成了数字电视, a camera, 还有一个机顶盒, etc. 每个细分市场都有不同的沙巴体育结算平台要求，例如在零件号中注明的操作温度. 请参阅每个数据表的实际工作温度范围.

操作温度
空白=商用温度
工业温度
汽车温度
无线温度
XT =宽温度
超温
极端温度

美光的LPDRAM比标准DRAM贵吗?

It depends. 密度是比较LPDRAM和标准SDR/DDR价格的主要因素. Also, 因为LPDRAM提供了x16的标准配置, x32 and x64, 如果您的应用程序目前使用两个x16组件来支持一个x32总线，那么您可能能够减少您的总体BOM成本. 你可以使用一个x32 LPDRAM而不是两个x16标准DRAM. 联系你当地的代表获取成本信息.

LPDDR3与DDR3L-RS有何不同?

LPDDR3在电池寿命和便携性方面进行了优化. DDR3L- rs是DDR3L模具的低IDD6版本，提供了价格与性能之间的平衡, 以及改进的备用电源.

我使用的部分是过时的，更换是一个更快的速度等级. LPDRAM可以低速运行吗?

Yes. LPDRAM部件可以在等于或低于其额定速度等级的任何速度下运行.

什么是LPDRAM?

优化的沙巴体育结算平台，功耗是一个关注, 我们的低功耗LPDRAM设备结合了前沿技术和封装选项，以满足空间需求和延长电池寿命. LPDRAM可提供DDR/SDR接口.

美光LPDRAM沙巴体育结算平台的寿命是多少?

我们对这个快速增长的市场感到兴奋. 我们计划生产LPDRAM多年来，并计划继续缩小我们的设计，以实现更高的密度.

美光LPDRAM的独特之处?

我们提供全面的LPDRAM沙巴体育结算平台组合, 具有广泛的密度和包装选项(包括jedec标准FBGA, xMCP, 和package-on-package). 凭借美光丰富的LPDRAM经验, 我们全球的技术支持团队可以提供您所需的专业知识和帮助，使您的设计更快地推向市场.

DRAM模块(3)
在我的系统设计中，Vtt和Vref可以由相同的供应商提供吗?
通过适当的解耦，这可以成为一种可接受的设计. 然而，美光公司建议确保所有的电源是分开的. Vref往往有更多的噪音，因为它提供的信号是有规律的切换. 稳健的设计通常不会连接这些电源，因为可能会将这种噪声引入到应该尽可能稳定的Vtt飞机上. 此外，Vref比Vtt需要更少的电流.
在设计使用特定模块技术和形状因素的系统时，是否有一组标准的跟踪长度和路由规则?
No. 为了确定最佳跟踪长度，必须模拟包含一个或多个内存模块的稳健内存子系统设计, terminations. 然而，我们的设计指南如 TN-47-01 and TN-41-08 是否有一些基于典型系统假设的最佳实践和设计示例. 这些信息并不是设计系统的唯一方法. 它是一个起点，也是用于确定系统最佳设计的步骤的一个例子.
NVDIMM (8)
什么是NVDIMM?

NVDIMM是一款结合NAND闪存的非易失性持久存储解决方案, DRAM和一个可选的电源进入一个单一的存储器子系统. 美光的NVDIMM能够提供DRAM的性能水平和NAND的持久可靠性, 确保存储在内存中的数据不丢失.

nvdimm的工作原理是什么?

nvdimm运行在服务器的DRAM内存插槽中，以DRAM的速度执行工作负载. 在电源故障或系统崩溃的情况下, 板载控制器安全地将存储在DRAM中的数据传输到板载非易失性存储器, 从而保存了否则会丢失的数据. 当系统恢复稳定时, 控制器将数据从NAND传输回DRAM, 允许应用程序有效地从停止的地方继续.

什么是持久性记忆?

持久性内存是内存/存储层次结构的新成员，通过提供非易失性，可以在数据管理方面提供更大的灵活性, 靠近处理器的低延迟内存. Essentially, 持久性内存通过消除标准存储技术对应用程序施加的I/O瓶颈来提高应用程序的性能. 通过在DRAM总线上放置非易失性存储器, 这种架构使客户能够显著优化数据移动，以便更快地访问存储在DRAM中的变量.

与持久的记忆, 当访问必须保存的关键数据时，系统架构师不再被迫牺牲延迟和带宽. 关键数据可以存储在处理器附近，大大缩短访问时间. 持久内存提供了惟一的延迟平衡, bandwidth, 能力和成本, 提供对关键数据的超快速dram式访问，并使系统设计师能够更好地管理总体成本.

NVDIMM的主要用例是什么?

任何性能取决于存储在非易失性介质(HDD或SSD)中的变量的应用程序都可以从nvdimm中受益(大多数应用程序可以加速). 持久化变量包括元数据日志, 检查点状态, 主机写缓存, write buffers, 日志和一般日志. 通过在NVDIMM中放置这些变量可以加速的应用包括2节点, 使用RAID卡的高可用性存储, SSD mapping, RAMDisk和ssd的写缓存.

今天有什么沙巴体育结算平台?

美光将提供三种DDR4 NVDIMM沙巴体育结算平台:

  1. 8GB DDR4 NVDIMM和旧固件
  2. 8GB DDR4 NVDIMM, JEDEC固件
  3. PowerGEM®8GB NVDIMM超级电容

遗留固件和JEDEC固件之间有什么区别?

遗留固件是指由AgigA Tech确定的固件特性和控制器寄存器位置, Inc.，用于DDR4 NVDIMM的初始设计. JEDEC现在已经标准化了NVDIMM固件特性, 寄存器位置和api，这样一个厂商的NVDIMM可以与其他厂商的NVDIMM兼容. 所有新的Micron NVDIMM解决方案将利用JEDEC固件接口.

如何启用nvdimm? 哪些平台支持NVDIMM?

如今，许多主板、服务器和存储设备都支持nvdimm. 2016年将有更多的沙巴体育结算平台上市. 更多细节请联系您的供应商.

NVDIMM对软件是否有要求?

nvdimm利用块模式或直接访问驱动程序. 与块模式驱动一起使用的nvdimm与操作系统和应用程序兼容，几乎没有必要的软件修改. 通过利用NVDIMM和直接映射的驱动程序，可以利用额外的性能能力, 但操作系统和应用软件可能需要一些修改. 美光目前正在与主要的oem和软件公司合作，将NVDIMM硬件整合到一起, 驱动程序和软件支持到他们的主流沙巴体育结算平台.

快闪记忆体(17)
eMMC (14)
What is e.MMC?

嵌入式MultiMediaCard (e.MMC)是一个基于NAND闪存的内存解决方案，由JEDEC定义，在一个小的BGA包中. JEDEC同时定义了硬件和软件, 支持轻松的客户设计入库和多源功能.

e有什么好处.MMC?

e.MMC是一个完全管理的解决方案(所有媒体管理和ECC都在内部处理), 这使得NAND技术的转变对主机来说是不可见的，并为客户提供了减少其上市时间的能力，并使沙巴体育结算平台的持续时间更长、更容易.

“广阔市场”一词是什么意思?

我们的嵌入式市场.MMC沙巴体育结算平台分为两大类:汽车和广阔的市场. This is due to the unique requirements that are required in the automotive market; thus, 有一个单独的沙巴体育结算平台线，由美光汽车团队支持. 广阔的市场包括所有其他细分市场，如消费者, gaming, server, networking, industrial, medical, military, etc. 广阔的市场e.MMC包括两个亚族:具有商用温度等级的WT和具有扩展温度范围的IT.

如何订购样品?

您可以通过 微米样本中心.

是否有必要参考JEDEC规格以及美光的数据表?

是的，JEDEC规范必须与数据表一起阅读. Micron e.MMC complies with the JEDEC standard; hence, 美光的数据表提供的信息仅针对美光的e.MMC devices.


是否有仿真模型?

是的，IBIS型号可用于WT和IT沙巴体育结算平台(JEDEC 153-/169-球和100-球)

What is the e.为工业应用提供MMC?

美光正为工业客户提供广泛的解决方案, 如五密度和jedec标准BGA 153-/169球和定制100球包装. 所有这些沙巴体育结算平台都将在-40°C至85°C的扩展温度范围内工作.

100球IT e有什么优势.MMC?

微米球100 - e.MMC BGA包具有1.0mm球距简化板布线(节省PCB成本)和提高板级可靠性(温度循环). 该解决方案对汽车、工业和网络细分市场特别有吸引力. 有关其他好处，请参见下表.

100球e的特点.MMC

Benefits

Large 1.0毫米球球场
  • 允许低成本的PCB轨迹/空间设计
  • 简化了PCB路由
  • 可减少PCB层数
  • 通过减小钻径来降低成本
  • 较低的DAR(钻宽比)，更好的PCB产量
  • 允许更宽的轨迹更好的散热

Large 0.公称球径45mm
  • 提供高的PCB板级可靠性
  • 提高表面贴装的产量(vs. 较小的球包)
  • 提供更好的散热

球数低(与153球相比).MMC JEDEC-standard)
  • 允许更容易，低成本的PCB布线
  • 降低封装和PCB成本

100球模式包含12个机械支撑球(每个角3个)
  • 提供优良的PCB板级可靠性
  • 允许灵活的“大包大小”变化

灵活的球从设计
  • 允许未来.MMC功能升级和下一代技术

我如何从Micron e迁移.MMC 4.4 to 4.41?

美光已经完成了它的e.MMC 4.4 offering. 请咨询您的AE以获得支持. 专用技术说明”TN-FC-08:从美光v. 4.4 e.MMC to 4.41 e.MMC的内容可供参考.

是否可能从e执行系统引导.MMC?

Yes, e.MMC提供两个启动分区，以提供对启动代码的快速访问，从而改善系统启动时间. 从启动分区启动可以在大约50ms内提供对存储数据的访问, 而从用户区域启动可能需要数百毫秒. However, 以便利用引导分区, 芯片组必须能够支持从引导分区引导. 检查您的芯片组供应商，以了解是否从e.支持MMC启动分区.

Does Micron e.MMC支持掉电保护?

Yes, ESG e.MMC设备支持静态数据保护. 从美光工厂发货的设备为COMBO，配置为最佳的写性能进行了优化. 客户可以重新配置设备，以保护静态(以前写的)数据，如果在写操作期间有电力损失.

JEDEC规范中提到的增强技术特性是什么, 有什么好处呢?

可以将部分或全部MLC用户空间配置为pseudo-SLC. 与MLC NAND相比，该分区提供了更好的可靠性、耐久性和性能.

我可以在e中设置分区吗.MMC以适应不同的使用模型?

The e.MMC规范允许客户将用户数据区域配置为最多四个独立的分区，每个分区可以配置为MLC(默认)或增强模式(pSLC)。. 增强模式提供了更好的可靠性，交换两倍的空间作为MLC.

有关更多资料，请参阅"TN-FC-40:嵌入式e.MMC配置"

e所需的软件支持是什么.MMC?

e.MMC驱动程序通常可以在市场上找到，因为它是一个行业标准的沙巴体育结算平台.

eUSB (7)
What is eUSB?

嵌入式通用串行总线(eUSB)是一种基于NAND闪存的内存解决方案，符合USB行业标准. USB是一种广泛采用的跨多个平台和操作系统的接口, 提供一个低成本, 高效的数据传输解决方案，为当前的应用和超越.

eUSB有什么好处?

eUSB是一个完全管理的解决方案，利用NAND内存和, 通过车载控制器, 内部处理所有媒体管理和ECC控制. eUSB为客户提供完整的存储解决方案，可以轻松集成到系统中, in turn, 缩短上市时间.

使用本机SLC NAND内存, 结合了丰富的管理功能集，如全局磨损水平和动态数据刷新, eUSB提供了性能和可靠性的卓越结合.

如何将eUSB连接到我的系统板?

eUSB设备有一个10针(2x5) USB母连接器，与大多数主板上的行业标准10针连接器兼容. PCB上还提供一个安装孔(直接与内部接地)，以保证与系统板的稳定连接.  PC板上的额外孔, 在制造过程中用于拆镶板, 如果需要，也可以作为额外的安装位置.

我可以使用eUSB作为启动设备吗?

Yes. 美光的eUSB可以用作操作系统引导和主存储设备. However, 应用程序的BIOS必须支持启动模式特性, 对于过去5年生产的大多数支持USB 2的系统来说，这应该不是一个问题.0. 在主存储器或引导模式中, eUSB在系统中应该被识别为一个固定的硬盘驱动器.

美光是否提供带有3的eUSB.3V option?

Yes. 请检查 part catalog 为美光目前的eUSB沙巴体育结算平台.

美光是否为我提供了一种方法来确定设备剩余的使用寿命?

我们最新一代的eU500, eusb3.1沙巴体育结算平台确实提供了一种通过使用SMART命令提取相关生命周期数据的方法. However, 前几代eUSB沙巴体育结算平台不支持收集生命周期数据的运行时方法.

是eU500 (eusb3.1)完全向后兼容e230 (eusb2.0)?

Yes. 美光最新一代eU500 eusb3.1沙巴体育结算平台向后兼容USB 2.0 protocol. eU500系列也支持相同的外形因素, 提供的电压和连接器作为上一代e230. 请检查 part catalog 为美光目前的eUSB沙巴体育结算平台.

3D NAND (4)
为什么3D NAND是必要的?

平面NAND闪存的实际容量已经接近极限, 存储器行业面临的挑战是什么.  行业创新需要最先进的NAND技术，以更高的密度和更低的成本进行扩展. 3D NAND允许闪存解决方案继续符合摩尔定律, 在降低NAND闪存成本的同时，带来了密度的显著提高.

这款3D NAND与业内其他沙巴体育结算平台的区别是什么?

由英特尔和美光公司开发的3D NAND技术在密度和成本方面都有很大的提高, 这是第一个使用浮动门细胞的3D NAND.  这种3D NAND使闪存设备的容量比生产中的其他平面NAND模具高3倍, 第一代设计比平面NAND具有更好的成本效率. 还有各种各样的特性可以改善延迟, 增加耐力，使系统集成更容易.

美光的3D是一种“更智能”的NAND技术. 你是什么意思?

我们集成了各种特性来提供改进的性能和新功能, 包括新的编程算法和电源管理模式，有助于使系统集成更容易. See FortisFlash 了解更多沙巴体育安卓版下载这些特性的信息.

你们的3D NAND电池和工艺技术的细节是什么?

新的3D NAND技术采用了32层的浮动栅电池和垂直堆叠flash电池，实现了256Gb多层电池(MLC)和384Gb三层电池(TLC)的标准封装.

你支持小块设备吗?
目前，美光只提供大块设备. 更多信息，请参阅技术说明， TN-29-07:小块vs. 大块NAND设备.
如何为NAND设备实现更大的程序/读吞吐量?
获得最大的程序/读吞吐量为Micron NAND闪存设备, 使用PROGRAM和READ缓存操作. 有关如何使用这些命令的详细信息，请参阅NAND设备数据表和我们的NAND技术说明页.
高速NAND与传统NAND有何不同?

高速NAND，读写速度可达200mb /s，写速度可达100mb /s. 这些速度是通过利用新的ONFI 2实现的.0接口规范和具有更高时钟速度的四平面架构. In comparison, 传统的SLC NAND只读限制在40mb /s，写限制在20mb /s以内. 为了最大化高速NAND的性能优势，用户必须使用新的ONFI 2.0同步接口标准.

如何指定Nvb?
Nvb被指定为在P/E循环规范结束时有效块的最小数量.
我需要多少ECC来支持你们的设备?
我们定义每个512字节段的ECC需求. MLC NAND器件比SLC NAND器件有更高的ECC要求，因为每个单元的比特数增加. ECC要求因设计不同而不同，因此需要的ECC数量请参阅设备数据表.
我看到很多READ - DISTURB错误. 你能告诉我你的部分有什么问题吗?
当重复读取相同的数据时，会发生READ disturb. 就其本质而言，NAND技术的读扰错误的发生率非常低. But, 减少任何由于读扰而收到的错误, 我们建议用户刷新数据，以减少读取相同数据的次数.
我正在为NAND设备使用正确数量的纠错码(ECC), 但我仍然看到我从NAND设备读取回来的数据的位/字节错误.
确保在任何类型的PROGRAM或ERASE操作之后，你正在向NAND设备发出一个READ STATUS命令. 在一个PROGRAM或ERASE操作后检查状态将报告PROGRAM或ERASE操作是否成功. 如果READ STATUS命令报告PROGRAM操作失败, 这些数据应该被编程到其他地方，被编程的区块应该被废弃. 如果READ STATUS命令报告ERASE操作失败, 那个街区也应该被废弃.
我听说NAND的启动错误太多了. Is this true?
With ECC, NAND可以达到与NOR相当的误码率(BER), 哪种是常用的启动设备. 使用NAND的应用程序通常复制启动代码到DRAM并从DRAM执行. 欲了解更多信息，请阅读 科技报告29 - 16，它适用于特定的处理器，但概念可以普遍应用. TN-29-19 是一本沙巴体育安卓版下载NAND的一般概念的非常有用的技术笔记吗.
我应该标记块坏由于读错误?
Yes.
当我向双模NAND设备发出Read ID命令(90h)时, 我得到一个设备ID，表明它是一个单模NAND设备.
在双模NAND器件中, 每个CE号上都有一个骰子, 对于一个die，返回的设备ID是每个CE#. 例如，一个8Gb的带有两个ce#引脚的双模NAND设备将在每个ce#上返回一个4Gb的设备ID. 更多细节请参阅NAND设备数据表的Read ID部分.
在哪里可以找到设备数据表中没有涵盖的有关美光NAND设备的其他技术信息?
更多的Micron NAND Flash技术信息，包括性能增强命令的详细信息，可以在NAND的technical Notes页面上找到.
我在哪里可以找到NAND Flash设备的仿真模型?
Micron发布了Verilog、HSPICE和IBIS的NAND设备模型. 为您的需求找到合适的模型, 请参阅适当的NAND部件目录，并选择您的设备来查看可用的型号.
为什么我得到一个位/字节错误读回我编程到NAND设备的信息?
检查您正在为NAND设备使用适当数量的纠错码(ECC). ECC门限可以在NAND设备数据表的“错误管理”部分找到. 还要确保没有使用NAND制造商(微米)标记的坏块. 查看NAND设备数据表的“错误管理”部分，了解更多沙巴体育安卓版下载如何搜索制造商标记的坏块的详细信息.
为什么NAND Flash设备不能正确响应发出的命令?
请确保在设备上电后向NAND设备发出了复位命令(FFh). 一个复位命令(FFh)必须发出到NAND设备的每个有效的芯片使能(CE#)，在任何命令被允许发出到该CE#之前.
图形内存(3)
GDDR5 (3)
图形DRAM与常规DRAM有什么不同?

图形DRAM是DDR SDRAM的一个类别，旨在处理非常大的带宽要求. 不像标准的DRAM, 图形DRAM通常与SoC焊接在同一PCB上，每个内存组件总是支持32 DQs. 除了显卡和游戏机, 图形DRAM被用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.

与前几代图形DRAM相比，GDDR5有哪些特性和功能?

GDDR5提供更高的密度, 较低的外部电压和超过两倍的内存带宽相比，其前身, GDDR3. 与DDR3和GDDR3的2X关系相比，GDDR5的4X关系与CK时钟是唯一的.

GDDR5是否直接替代GDDR3?

不，由于包大小的差异，GDDR5不能直接替代GDDR3. GDDR3有一个136球BGA包，而GDDR5有一个170球BGA包.

GDDR5X (7)
图形DRAM与常规DRAM有什么不同?

图形DRAM是DDR SDRAM的一个类别，旨在处理非常大的带宽要求. 不像标准的DRAM, 图形DRAM通常与SoC焊接在同一PCB上，每个内存组件总是支持32 DQs. 除了显卡和游戏机, 图形DRAM被用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.

与前几代图形DRAM相比，GDDR5X有哪些特性和功能?

GDDR5X提供更高的密度和更低的外部电压(1.35V)，而其前身GDDR5. GDDR5X的带宽是GDDR5的两倍(10 - 16gb /s)，同时保留了传统的离散封装技术(FBGA).

GDDR5X是否可以在GDDR5-like模式下工作?

是的，GDDR5X有两种操作模式:

  • QDR模式:支持10gb /s及以上
  • DDR模式:支持0.2 - 6gb /s的速度，兼容GDDR5

GDDR5X是否支持JTAG边界扫描?

是的，GDDR5X有IEEE 1149.1顺从边界扫描.

美光与GDDR5X的竞争地位如何?

美光是业内首家支持GDDR5X量产的存储器供应商.

GDDR5X是JEDEC标准吗?

是的，GDDR5X SGRAM标准于12月首次发布. 2015年JESD232. 最新的JEDEC版本是JESD232A.

GDDR5X是否替换GDDR5?

由于包大小的差异，GDDR5X不是GDDR5的直接替代品. GDDR5有一个170球，0.而GDDR5X有一个190球，0.65年mm-pitch包.

GDDR6 (8)
图形DRAM与常规DRAM有什么不同?

图形DRAM是DDR SDRAM的一个类别，旨在处理非常大的带宽要求. 不像标准的DRAM, 图形DRAM通常与SoC焊接在同一PCB上，每个内存组件总是支持32 DQs. 除了显卡和游戏机, 图形DRAM被用于网络等高带宽应用, 汽车和高性能计算.

与前几代图形DRAM相比，GDDR6有哪些特性和功能呢?

GDDR6提供了比上一代图形内存更高的密度. 它将GDDR5的带宽提高了一倍，扩展了过去GDDR5X的速度. In addition, 它基于双通道架构, 它能够极大地提高性能，同时仍然提供对GDDR5内存访问大小的向后兼容性.

GDDR6是否可以运行在类似gddr5的模式下?

No

GDDR6是否可以运行在类似gddr5x的模式下?

Yes

GDDR6是否支持JTAG边界扫描?

是的，GDDR6有IEEE 1149.1顺从边界扫描

美光与GDDR6的竞争地位如何?

美光正在利用其基于gddr5x的高速信号技术，这些技术来自于两年多的设计, 大规模生产, 在美光GDDR6沙巴体育结算平台的测试和应用学习. 这使得美光在使用传统存储器组件的高速信号方面保持领先地位.

GDDR6是JEDEC标准吗?

是的，GDDR6 SGRAM标准于2017年7月首次以JESD250的形式发布.

GDDR6是否替换GDDR5或GDDR5X?

由于包大小的差异，GDDR6不是GDDR5或GDDR5X的直接替代品. GDDR5有一个170球，0.8毫米间距BGA包，GDDR5X有一个190球，0.65毫米间距BGA包和GDDR6有一个180球，0.75 mm-pitch BGA计划.

混合存储立方体(6)
美光为什么要停止HMC?

美光在持续的基础上审查沙巴体育结算平台路线图，以确保我们目前的沙巴体育结算平台组合满足当前和未来的市场需求. 从早期引入HMC开始, 另外的高性能存储器已经进入市场, 推动最初HMC成功的批量项目正在走向成熟.

什么将取代HMC高端性能内存?

美光将继续为高性能应用开发和设计内存. GDDR具有路线图支持，并在这一领域继续增长. 美光还建立了HBM开发计划.

我如何订购上次购买的数量?

请与适当的销售团队或分销联系人合作，以确保在最后一次购买日期之前将最后一次购买数量传达给美光.

I am ramping production in 2019; how do I secure HMC for the lifetime of my product?

See above.

这是否意味着美光不再专注于网络领域?

美光是网络领域内存的领先供应商, 我们将继续关注和评估未来的机会.

那HMCC呢?

混合存储立方体联盟(HMCC)是一个由行业领袖组成的工作小组, 采用或启用HMC技术. HMCC的目标是定义行业可采用的HMC接口，并促进将HMC集成到支持开发人员的各种应用程序中, 制造商和使能者利用这一革命性的技术.

HMCC从事着伟大的勘探工作. 美光将继续支持/为HMCC提供技术讨论和从客户参与中学习.

多片包(8)
你有沙巴体育安卓版下载PoP的可靠数据吗?
Yes. 我们有沙巴体育安卓版下载PoP的可靠数据. 接触微米 的更多信息.
For a PoP/MCP, 工厂的资格测试是否与分立部件的测试不同?
No. PoP/MCP零件要经过与分立元件相同的合格测试.
我如何知道小猎犬板上零件的微米零件号?
Beagle板使用我们的NAND + Mobile LPDDR PoP组合部件, 密度的变化取决于你拥有的比格尔棋盘的版本. 在物理部分上键入第二个5位字母数字代码到我们的FBGA解码器, 它会提供给你相应的Micron零件号.
我听说选择PoP/MCP解决方案比使用离散的更贵, 所以我为什么要用它?
从系统解决方案的角度来看, 因为PoP直接与处理器结合, 它消除了在PCB上路由痕迹的需要. 这为客户节省了成本，并提供了更好的信号完整性.
我们的合同制造商对PoP几乎没有经验. 我们为什么要尝试新事物呢?
市场正在推动对更小的PoP形式因素的需求, 一些合同制造商已经实现了这项技术. PoP可以节省路由成本，提高信号完整性. 考虑到这些成本和性能优势, 美光建议您与您的CM密切合作，以确保向该技术的良好过渡.
我们设计的是离散的部分，但现在我们使用的是PoP部分. 在我们能达到的速度上，他们似乎受到了限制. 有什么问题??
当从离散部件测试转移到PoP测试时, 应该注意的是，包含离散组件的设计不会留下存根. 如果需要，一个0欧姆电阻可以从离散部分使用的跟踪内存隔离.
你们有哪些针对x8 NAND和/或x16 Mobile LPDDR的PoP/MCP沙巴体育结算平台?
我们的标准沙巴体育结算平台是x16 NAND和x32 Mobile LPDDR. 我们也有x8 NAND和x16移动LPDDR. 欲知最新资讯， 联系当地的美光技术支持.
什么是主控程序? What is a PoP? 这两个设备有什么区别?
MCP是包含多个芯片的多芯片封装，可用于任何控制器. PoP是一种MCP的形式，专门用于堆叠在处理器的顶部，处理器的顶部有与PoP的球形相匹配的衬垫. 因为PoP包正好堆积在处理器的顶部, 它消除了在PCB上路由痕迹的需要，并提供了更好的信号完整性. 各种PoP包是为各种处理器设计的. PoP和MCP设备使设计人员能够利用z空间，并提供在一个包中提供不同逻辑的灵活性(例如, NAND +移动LPDDR或e.MMC™+ NAND +移动LPDDR). 我们有广泛的沙巴体育结算平台可供选择，以满足客户的需求.
固态存储(1)
我可以买一个微米级的固态硬盘作个人使用吗?

我们通过我们的关键品牌直接向消费者销售ssd(和内存). 关键的ssd提供了同样的高质量, reliability, 以及美光ssd的性能, 但被包装成消费品. 你今天就可以在 crucial.com/ssd.

高级计算解决方案(4)
开始(3)
我如何开始你的系统?

我们所有的ACS硬件都带有一个安装文件. 简单地打印出入门文件，并遵循说明. 所包含的c++ API源文件包含一个PicoDrv，它代表一个FPGA.

如何与主机处理器进行接口?

您可以像使用PCIe的任何其他系统一样进行接口® add-in cards.

如何使用多个模块?

Our PicoFramework 提供对所有基本FPGA功能的访问，而不管模块的数量. 该软件API包含一个名为PicoDrv的源文件, 为系统中的每个FPGA模块创建一个PicoDrv对象, 使FPGA模块通信简单.

编程的fpga (3)
我如何上传我的位文件到FPGA在您的系统?

Our PicoFramework 提供了对系统中所有基本FPGA功能的访问. 当您为FPGA构建配置文件时, picofframework软件将是顶级的, 你的模块将在框架中实例化. 为系统中的每个FPGA创建一个PicoDrv对象.

背板安装模块的加载机制是什么?

ACS模块的编程是通过PCIe完成的® bus. Our EX-700 and EX-750 背板包括一个Spartan-6 FPGA，用于使用API调用加载ACS FPGA模块. 我们还支持并提供了通过PCIe进行DMA传输的示例.

如果我有一个大小受限的应用程序，我需要使用背板吗?

Our EX-700 and EX-750 使用美光ACS FPGA模块时，技术上并不需要背板. 我们的模块可以独立运行，将位文件编程到配置flash中, 然后加载FPGA.

(6)设计流
我是否需要将我的整个应用程序迁移到Micron ACS FPGA模块来实现性能优势?

No. 只需将应用程序的“热点”移到FPGA模块，然后从主应用程序执行一个函数调用，该主应用程序仍然位于传统的基于cpu的系统上.

我如何重新编译我的遗留串行代码运行在美光的ACS沙巴体育结算平台?

为串行处理器编写的现有代码不应该被重新编译以在高度并行的FPGA体系结构上运行，因为FPGA的许多并行优点将无法实现. In fact, fpga的时钟比cpu慢得多(一个显著的功耗优势), 所以串行代码会运行得更慢. 应该分析现有的代码，以辨别fpga的并行特性在哪里提供了最大的好处, 只有这部分代码应该重写，以利用fpga的并行特性. 这样，用最小的努力就能实现最大的利益.

我需要使用哪些工具来使用美光的ACS FPGA模块?

The PicoFramework 并不限制您对FPGA设计工具的选择. 使用您目前正在使用的FPGA开发工具和您最熟悉的工具.

美光ACS支持OpenCL吗?

Yes. 英特尔的OpenCL™和Xilinx的SDAccel都可以与 PicoFramework. 使用您目前正在使用的FPGA开发工具和您最熟悉的工具.

我需要从头开始吗?

No. 开始你自己的项目, 只需找到与您的通信模型和ACS模块/板最匹配的示例, 并将其复制到您的工作目录中. 的所有源文件 PicoFramework; you will just need to add your own code.

美光ACS支持哪些模拟器?

我们目前支持这两种Xilinx® ISim和Altera® ModelSim (Mentor的模拟器)模拟器.

HMC控制器(11)
美光®HMC控制器实现了哪些HMC规范?

美光的混合存储立方体(HMC)控制器实现了混合存储立方体联盟的规范1.1. 该规范对应于第二代HMC.

目前支持哪些FPGA设备?

HMC控制器支持Intel® (原阿尔特拉®) Stratix® V and Arria® 10个fpga以及Xilinx® Kintex® UltraScale™和Virtex® UltraScale +™设备.

HMC控制器有什么样的接口?

HMC控制器有一个带有5个128位端口的接口，或者一个512位的axis -4接口带有一个128位端口，用于主机访问.

控制器运行的时钟速度是多少?

Controller

Links

Clock Speed

x8

15 Gb/s

187.5 MHz

x16

15 Gb/s

375 MHz

x8

12.5 Gb/s

156.25 MHz

x16

12.5 Gb/s

312.5 MHz

x8

10 Gb/s

125 MHz

x16

10 Gb/s

250 MHz

控制器内部的延迟是多少?

在一个往返事务中，RX和TX双方的HMC控制器的总组合延迟可能在100ns到700ns之间. 延迟的数量取决于控制器的配置方式和所使用的特性. For example, 如果使用多端口接口, 控制器根据HMC协议创建格式良好的报文, 减少延迟. 512位AXI接口内置了读取数据的重新排序，因此读取数据总是按照请求的顺序返回给用户, 导致一些数据包有更多的延迟.

链路重试特性也会增加控制器的延迟，将延迟时间提高到~300ns. 该特性要求控制器在发送数据之前对所有传入数据执行完整的循环冗余检查(CRC). 如果不执行此特性，控制器延迟将从~140ns到低至~100ns. 以下是在交付之前关闭CRC检查传入数据的几个原因:

  • 如果您有一个应用程序体系结构(位于控制器的顶部)，可以使错误在下游得到解决. 换句话说, 控制器可以通过触发一个可以在应用程序体系结构本身中处理的错误标志来并行执行crc. 在这种情况下，控制器不必对数据进行门控，直到您确定它已被接收.
  • 如果你的硬件设计有足够的余量，你可以关闭重试功能，或者只保留激活错误标志但不重新训练链接的功能.

NOTE: 在罕见的重试事件中，300ns延迟会添加一个长尾.

为什么接口是640位宽，而不是256、512或1024位这样的二进制倍数?

Xilinx和Altera的收发器在接收16流数据时使用的齿轮箱略有不同, 把它们变成640位, 用时钟速度来平衡. 狭窄的更好, 所以512位是个理想数因为它是二进制倍数, 但是在这种情况下, 控制器必须在近450兆赫的频率下处理, 哪一个的时钟速度太快了. 另一方面，650位在时钟速率不太快的情况下，是尽可能窄的. 1024 bits, OpenSilicon在哪个领域运行了一段时间, 太宽太慢, 造成的问题比解决的还多. 同样，512位听起来很理想，但它不适合包的大小. For example, 最大的包, 128字节等于8字节, 加上头部和尾部, 哪个是9阶, 哪个不能干净地分割成512位.

控制器中是否有命令调度，还是从用户界面的角度来看是有序的?

The HMC itself may reschedule; it has enough performance to multitask, 所以它可以让请求相互传递. 这意味着请求可能会无序地返回到控制器. 如果您的应用程序需要，美光可以配置控制器逻辑来重新排序数据, 考虑您对低延迟和有序事务的需求. 

HMC控制器使用了多少FPGA?

该控制器在Altera中使用了大约32,000个alm / lut和3Mb内存® and Xilinx® FPGAs.

使用控制器的设计例子有哪些?

GUPs已经在所有的HMC模块上实现，包括您购买的板. 此外，还提供了一个利用512位AXI接口的AXI HMC内存测试示例应用程序.

控制器如何使吞吐量最大化?

HMC控制器是一个完全流水线化的模块，旨在最大限度地提高吞吐量. 而读写操作都需要多个时钟周期才能完成, 控制器允许用户在HMC返回第一个响应之前发出多个读和/或写请求. 这种读和写请求的流水线操作大大提高了用户应用程序的内存吞吐量.

ECC是在HMC内还是在控制器内执行?

循环冗余检查(CRC)错误检测用于序列化/反序列化(SerDes)链接. CRC在TX报文上生成，在HMC控制器的RX报文上检查. 一个错误将触发对失败的数据包进行重试. HMC内存本身使用内存数组本身内部的纠错码(ECC)错误检测和纠错.

Bare Die (3)
美光是否提供全晶圆及单晶模的沙巴体育结算平台?
现在，几乎所有的美光存储芯片都是以整片的形式销售的, 非模拟模具(请与当地销售联系获取可用性). 晶圆图在每次出货时提供. 有关晶圆映射的更多信息，请参见 TN-00-21. (有关Aptina图像传感器模具订单的信息，请参阅 aptina.com)
美光如何运送裸模沙巴体育结算平台?
微米模具作为整体晶圆提供，并通过水平晶圆托运人(“硬币栈”)或供应商箱运输. 客户必须有一个干净的房间环境来存放和拆包微米晶圆. 有关详细信息，请参见 csn20:全晶圆封装.
美光提供什么样的晶圆厚度选择?
标准的“未研磨”晶片厚度为750µm (200mm晶片)，790µm (300mm晶片). 根据沙巴体育结算平台的不同，美光还提供额外的200mm晶圆厚度选择. 请参阅适用的模具数据表，以了解超出标准厚度的模具厚度选项. 根据客户需求，美光可以考虑加工不同厚度. 更多信息请咨询您的销售代表.
Support (2)
串行状态检测(6)
能否验证16进制SPD值是否正确?
将十六进制值转换为二进制值，然后将其与适当的JEDEC SPD规范中的相关SPD字节进行匹配，这将提供字节的用途和如何设置的转换.
SPD值是如何确定的?
Micron利用一个专有的应用程序，根据工程师的输入和规则数据库为每个部件号生成SPD值. 数据库中的规则是仔细编写的，以确保遵守JEDEC SPD规范. 这个过程确保了兼容性和一致性.
JEDEC防雷器的规格是什么?
模块防雷器的规格由JEDEC确定. Micron采用JEDEC标准编号的几种SPD规格. 21-C用于确定和生成SDRAM、DDR、DDR2、DDR3和FBDIMM模块的SPD数据. 这些规格(如获批准)可于以下网址向公众索取 www.jedec.org. 尚未完成或批准的规范仅供JEDEC成员使用.
SPD的首字母缩写代表什么?
串行存在检测
SPD数据用于什么用途?
SPD数据表示模块的不同电气和物理特性. 这些数据永久地存储在模块上的电可擦可编程只读存储器(EEPROM)中. BIOS (basic input/output system)通过SMBus访问SPD信息. 系统BIOS可以使用这些数据来配置系统，以优化已安装的内存.
SPD表的作用是什么?
SPD表显示了每个内存模块上EEPROM中保存的每个字节的十六进制值.
模拟模型(22)
Verilog模型可用于Micron模块吗?
可以为DDR创建Verilog模型, DDR2, 和DDR3模块，通过使用micron提供的包装与Verilog模型，用于您正在使用的特定模块上的DRAM组件. 可配置的DIMM型号文件(ddr_dimm . conf).v, ddr2_module.v或ddr3_dimm.v)包含在DRAM Verilog模型中 .DDR、DDR2、DDR3组件需要下载“。zip”文件. The readme.文件中包含的 .根据该命令配置内存型号.
奇偶校验模块能否用于非奇偶校验设计的系统中?
美光的模块在硬件上兼容奇偶校验和非奇偶校验系统. Par_in(奇偶校验)和高阶地址信号有一个微弱的(100K-ohm)下拉电阻来稳定从开关点附近振荡的输入. Err_out(奇偶校验错误输出)是一个开放的drain，应该保留为true no connect，除非在奇偶校验系统中使用. 奇偶校验模块上的SPD数据确实反映了奇偶校验. 在极少数情况下，非奇偶校验系统的固件或BIOS会在SPD中的奇偶校验位出现错误. 因为这个原因, 系统设计者应该确保非奇偶校验系统的固件期望或忽略SPD数据的这一部分.
美光是否可以提供模块连接器的型号?
建议连接器的型号从连接器厂家采购，以保证型号的准确性. 美光或许能够提供一个简单的, 非耦合的RLC连接器模型，可以直接使用，也可以创建自己的连接器模型. Please e-mail DRAM Support 要请求此模型.
美光是否可以提供模块Gerber文件给客户?
As a rule, Gerber和odb++文件不提供给客户, 因为这些文件包含沙巴体育结算平台设计的专有信息，可能在未经我们同意的情况下被用于大规模生产我们的沙巴体育结算平台. 客户通常没有理由需要Gerber文件. Gerber文件提供给PCB制造商批量生产PCB. IBIS, EBD, 或板文件提供足够的信息，为客户创建模型和执行信号完整性模拟.
美光是否提供Hyperlynx模型?
美光可以提供Hyperlynx模型的要求，大多数模块. Please e-mail DRAM Support 与您的请求，并提供您感兴趣的模块的完整部分编号. Please note, 一旦您的请求被确认，可能需要两周的时间才能收到模型.
美光是否为模块提供VHDL模型?
Micron没有为模块提供VHDL模型. 我们将我们的建模资源集中在更高利用率的建模标准(如IBIS)上, Verilog, and HSPICE. 然而，VHDL模型的替代品是可用的: Denali和Synopsys都有内存组件库和模块模型 Web sites. 这些EDA包可能是在没有VHDL模型的情况下创建行为模拟的另一种方法. 一些模拟器，如ModelSim，提供了一种双语言选项(VHDL和Verilog). 要以这种方式进行模拟，可以围绕当前可用的Verilog模型使用VHDL包装器.
我正在下载的模型是否支持数据表中列出的所有驱动强度?
要发现模型所支持的驱动优势，请执行以下操作:
- HSPICE模型:看 .Sp文件中有关支持的驱动器强度以及如何选择它们的信息.
- IBIS模型:做一个文本搜索[模型选择器]部分. 本节描述可以为给定的输入/输出或输出缓冲区选择的驱动强度.
我如何知道我是否有正确的IBIS或HSPICE模型，为一个给定的模具修订指标?
HSPICE模型:在自述文件中查找模具修订信息.
IBIS模型:查看文件顶部的模具修订信息.
美光如何验证其IBIS和HSPICE模型的质量?
验证模型到实验室测量, 美光比较了几个项目, 例如输入电容, 功率和接地箝位二极管特性, 输出缓冲驱动强度, 并输出缓冲转换速率. 新的美光模型包括一个质量报告，比较模型特征的实验室测量和数据表规格.
我的仿真软件不支持IBIS 4.0和更新的标准. 我如何制作美光的IBIS 4.0级模型与我的IBIS 3工作.2-compliant模拟器?
大多数Micron型号包含很少的关键字特定于IBIS 4.0. 在许多情况下，模型可以做成IBIS 3.2兼容的一些简单的变化. 首先，将[IBIS Ver]关键字更改为3.2. 接下来，在每个[Model Spec]关键字下的“Vref”部分前面放置一个注释字符(“|”). 最后，注释掉每个[Receiver Thresholds]部分.
与单级模块相比，双级模块有什么优势?
对于内存控制器来说，具有两个级别的可用性在性能和功率方面都是有利的. For example, 而控制器正在等待一个64位字在一个级别上可用, 第二个64位rank可以被访问. 这种交错提高了模块的整体性能. 还可以在不使用的级别上降低功耗，从而降低模块的功耗.
当模型修订号从1改变时，它表示什么.X级到2级.x level?
1.X层模型表明该模型没有与任何实验室测量相关. Typically, 1.X级模型是为预硅或预生产设备提供的. A 2.X水平模型已与实验室测量相关.
什么是板(.brd) file?
一个板文件是一个PCB完整的电气和机械表示. EBD和odb++文件由单板文件生成. 没有保密协议(NDA)，董事会文件不会提供给客户，因为文件包含沙巴体育安卓版下载模块设计的机密和专有信息.
什么是Gerber文件?
Gerbers是发送给PCB制造商生产PCB的文件. Gerber是一个过时的术语，因为板厂目前需要ODB++文件来批量生产pcb. “戈贝尔”一词使用不当. 它有时指的是代表PCB的电气和机械特性的任何文件, including EBD, ODB++, 和董事会文件. 当客户要求模块的Gerber文件时, 重要的是要确定他们真正需要的具体文件.
什么是“等级”?
等级通常指的是系统的数据总线宽度. 这个宽度通常是64或72位. For example, 如果8个宽度为8位的元件安装在PCB上, 这将创建一个64位宽的模块, 允许从模块中读出一个64位的字. 我们将其称为“单级”模块. 16个宽度为8位的元件可以安装在一块PCB上形成两个元件, 64位宽, 创建一个“双等级”模块.
什么是EBD (.ebd) file?
EBD文件是用于模拟的PCB模型. 这个文件描述了PCB上引脚和痕迹的电气特性. 与DRAM的IBIS模型一起使用的EBD文件, registers, PLL可以用来创建模块的模型.
什么是IBIS (.ibs) file?
An .ibs或IBIS文件是一个电路的表示，意味着由模拟应用程序，如Cadence®Allegro®或HyperLynx®读取. IBIS (Input/output Buffer Information Specification)是一个EIA (Electronic Industries Alliance)标准. IBIS是一种特定格式的文本文件，表示当前与电压的关系和电压与电压的关系. 电路输入和输出的时间特性. IBIS模型是提供给客户的首选文件，因为这些文件不包含沙巴体育安卓版下载组件内部组成的任何专有信息. IBIS文件通常不需要nda.
一个组件内多个银行的优势是什么?
内存控制器可以在一个银行开始一个操作，并在第一个操作完成时在另一个银行执行一个单独的操作. 这种交错提高了DRAM的整体性能.
“银行”和“等级”之间的区别是什么?"
银行是具体到个别的DRAM组件和参考子阵列内的DRAM组件. rank是特定于内存模块的，是指由多个DRAM组件组成的子阵列.
模块的IBIS模型是由什么组成的?
模块的完整IBIS模型由几个文件组成:

1. 在该特定模块上使用的DRAM的IBIS模型
2. 锁相环、寄存器和eeprom的IBIS模型(根据需要)
3. PC机电阻并联端的IBIS模型
4. PCB的EBD (electronic board description)文件. 这个文件引用上面提到的终止的IBIS文件.

这些文件一起提供了PCB的完整表示.
美光建议我在内存接口上使用什么样的跟踪长度和终止值?
电路板设计师在寻找CAD绘图或模拟的起点时经常会问这个问题. 因为要考虑的变量太多，所以很难给出一个“正确”的答案. Clock speed, 1T或2T计时, 已注册或未缓冲的模块, 微量阻抗都是重要的因素. 有些控制器有on-die终止，有些没有. 有些控制器有两个命令和地址总线的副本. 所有这些因素都可以影响跟踪长度和终止，并可以影响如何实现可接受的信号完整性.

微米技术注释 TN-47-01, TN-47-20, and TN-46-14 可以作为一个起点吗, 但追踪长度和终止必须最终通过模拟和物理测试来证明. 美光为没有专业知识或资源运行模拟的客户提供在线模拟器. 在线模拟器在美光公司的一个安全区域.com; visit the following URL to request access: www.sauvezlasynagoguefleg.com/simulators.
为什么IBIS模型的DRAM组件定期张贴微米.com而不是IBIS模块模型?
我们发现，按照客户的要求创建模块模型更有效率. 如果您无法找到您感兴趣的模块的IBIS模型, 请将您的要求以电子邮件发送至 DRAM Support.
微米(4)
收购尔必达(3)
一般信息(5)
I currently do business with Elpida; has their employee contact information changed?

您可以继续以相同的电话号码和办公地点联系您的联系人. 您的联系人应该向您提供他们新的美光电子邮件地址，以便使用前进.

尔必达的公司名称会改变吗?

Effective Feb. 28, 2014, 尔必达改名为“美光记忆日本”，尔必达秋田改名为“美光秋田”, Inc.

尔必达的销售办事处或地点有变动吗?

随着我们继续将尔必达整合到美光，一些销售办公室的地点将会改变. 请联系您当地的销售代表了解更多细节.

我在哪里可以找到更多沙巴体育安卓版下载美光/尔必达过渡的信息?

您的销售代表随时可以回答您的任何问题，并将与您密切合作，以确保所有问题的定义和解决到可能的最大程度. 

I am interested in applying for a job with Micron (or the former Elpida); who do I contact?

Go to www.sauvezlasynagoguefleg.com/careers 申请工作.

为客户(7)
我从美光和尔必达都买. 我现在应该联系谁呢?

继续和以前的销售和客户服务代表一起工作. 如果对这些联系人进行了更改，将立即通知您.

我在哪里可以找到尔必达的沙巴体育结算平台信息?

尔必达沙巴体育结算平台相关信息已集成到www中.sauvezlasynagoguefleg.com. 使用这些有用的提示来识别尔必达部件，并浏览我们的扩展部件目录:

  • 所有尔必达零件编号都以字母“E”开头.”
  • 尔必达部件出现在部件目录的开头，因为部件列表是根据部件号按字母顺序排序的.
  • Part catalogs are sortable; use the filter at the top of the part catalog to narrow down part listings based on technology, density, 或其他特性.
  • Refer to the 尔必达零件编号指南 以获得有关破译尔必达零件编号的更多信息.

以前的尔必达生产线会有新的零件号吗?

订购部件号将更改为包含包装媒体标识符(磁带 & Reel or Tray). 沙巴体育结算平台变更通知于2013年12月发出. 如果您有任何其他问题，请联系您的销售代表.

我从哪里得到尔必达沙巴体育结算平台的数据表和沙巴体育结算平台支持信息?

为尔必达零件信息, 包括访问elpida特定的部件目录和数据表, visit sauvezlasynagoguefleg.com/elpidaparts.

尔必达沙巴体育结算平台的标识和标签是否会改变?

目前，没有改变尔必达品牌沙巴体育结算平台的标志或部分标志的计划. 如果有任何变化, 美光将努力将对客户的影响降到最低，并将使用适当的渠道向客户传达这些变化.

如果我正在对美光/尔必达零件进行资格认证，我应该怎么做?

继续攻读任何正在进行中的资格证书, 除非你的客户支持团队另有安排. 如果你有沙巴体育安卓版下载支持或资格的问题, 请依赖您现有的美光或尔必达技术联系人获取信息.

I am currently buying Elpida products from a distributor; where do I go now for products?

美光已经改变了美光的分销网络. 有关美光授权经销商的完整列表，请参考 美光授权经销商名单. 美光授权经销商将同时销售美光和尔必达的沙巴体育结算平台. 如果您有任何问题或订购沙巴体育结算平台的问题，请发送电子邮件至 distribution@sauvezlasynagoguefleg.com; and we will ensure that someone assists you. If over time, 美光决定进一步改变其分销网络, 我们将积极配合分销和客户的供应链需求.

供应商(3)
尔必达/瑞芯普的采购订单和发票将如何处理 & 支付系统/流程?

  • 业务系统迁移到美光的SAP采购环境.
  • 采购订单布局和编号将从2014年3月开始改变.
  • 在2月之间，美光将为尔必达/瑞芯普的开放采购订单创建新的采购订单. 2014年3月28日至2014年3月7日，并将参考原尔必达/Rexchp采购订单号.
  • 美光采购订单上的bill-to地址可能与之前的尔必达/Rexchip地址不同. 2014年2月的第一周，Elpida/Rexchip的供应商收到了一封带有新法人实体和账单地址的信.

尔必达与其供应商之间的协议和合同将会怎样?

  • 对尔必达各法律实体有效的第三方协议将分配给美光和/或最终终止. 将联系受影响的供应商.
  • 美光的核心团队和前尔必达团队成员正在努力解决这些协议. 预计不会发生任何变化，但如果协议受到影响，美光可能会与您联系.

我与美光、尔必达和/或睿芯国际都有业务往来，我们将使用哪些条款和条件?

美光的条款和条件将适用于所有采购. 这些通常包含在采购订单中. 对于日本美光存储器来说，它们通常包含在主购买协议中. However, 如果你已经和尔必达签署了协议, in general, 其中所载的条款和条件将继续适用，直到该协议被修改或其期限结束.

基础(6)
美光是否捐赠记忆或设备?
我们目前还没有捐赠记忆的机制. 有时，我们有半导体设备可以捐赠给我们的 大学的合作伙伴.
如何申请社区/K-12资助?
Go to the "社区赠款页面下载应用程序和说明.

按照指示，向美光基金会提交所有必要的表格和信息.

我们不能考虑不完整的提案或计划/项目，不属于我们的主要资助范围.
如何申请高等教育资助?
高等教育补助金申请只接受邀请. 讨论这个想法，请致电(208)363-3675联系Janine Rush-Byers.
我如何有资格获得社区或K-12资助?
您必须位于一个生产基地社区:美国.S. 组织必须位于博伊西附近, ID; organizations near Micron's Manassass, VA; International organizations must be located near Singapore or Avezanno, Italy.

请联系 微米的基础 如果你不确定自己是否有资格.

你必须证明你的非营利组织身份. 必须提交一份完整的申请. 请参阅下面的部分. 优先考虑那些专门用于促进科学、数学和技术的项目.
我的大学是如何参与进来的?
学校可以以不同层次参与这些项目，从单个项目到多层次参与的战略伙伴关系. 学校的参与是基于美光与各大学感兴趣的院系之间的配合和共同兴趣.

探索您部门的潜在参与, 请联系美光大学关系经理 university_relations@sauvezlasynagoguefleg.com.
我应该联系谁来讨论一个资助的想法?
当地社区和K-12资助，联系Kami Faylor (208) 363-3675

高等教育资助，联系Janine Rush-Byers (208) 363-3675
绿色工程(10)
美光的无铅化沙巴体育结算平台符合rohs标准吗? 5/6 RoHS是什么意思?
Yes. 指令2011/65/EU(取代指令2002/95/EC), 限制在电气及电子设备中使用若干有害物质(RoHS), 是否会影响美光的半导体沙巴体育结算平台. 本指令的目的是限制电气和电子设备中某些有害物质的使用，并保护人类健康和环境. 美光的沙巴体育结算平台一直符合5/6 RoHS标准, 这意味着它们含有铅焊料, 但其他方面符合RoHS规定(他们符合六项规定中的五项). 美光的无铅化沙巴体育结算平台完全符合RoHS标准.

美光符合RoHS标准的模块级沙巴体育结算平台确实含有可在2011/65/EU指令豁免的应用中使用Pb的电子部件(见第4条), Annex 3). 更多信息请联系您的销售/市场代表.

欧盟委员会在总环境局下分发的常见问题解答表可作为正式的参考点(但不具有法律约束力).
美光无铅化沙巴体育结算平台是否符合中国RoHS报告要求? 美光是否在沙巴体育结算平台上贴上环保使用期标签?

微米的Pb-free组件, die, 晶圆级沙巴体育结算平台不含中国RoHS限制的六种物质. 在未获豁免和获豁免的欧盟RoHS申请中，美光的模块可能含有铅(市场上没有可靠的无铅替代品).

美光的沙巴体育结算平台并不直接卖给消费者. EPUP和其他标识要求仅适用于直接在消费者市场上销售的沙巴体育结算平台. 欲了解更多信息，请联系您的销售/市场代表.

这些物质不是美光公司在生产过程中故意添加的，但在用于生产成品的原材料中可能存在微量的物质.

美光是否了解REACh要求?
美光完全了解法规2006/1907/EC的沙巴体育结算平台要求, Registration, Evaluation Authorization和 Restriction of Chemicals. 美光公司不断监控候选名单中的新成员，并及时进行验证 Substance of Very High C一旦关切被用于制造过程和对最终沙巴体育结算平台的潜在影响. 美光致力于按要求为客户提供有关其沙巴体育结算平台中物质的信息. 如果需要任何文件，请联系您的销售代表.
美光如何定义绿色沙巴体育结算平台?
除了符合RoHS标准, 美光的绿色包装不含已被确定为对环境有害或已知具有严重可靠性的物质:溴, chlorine, 含锑的物质, 无机红磷. 这些物质不是故意添加到包装材料，如封装剂, 死附加材料, 未充满环氧树脂, 和基质. 下面列出了美光公司绿色包装中允许的这些物质的最大痕量.

<900 ppm Chlorine
<900 ppm Bromine
<1500 ppm Chlorine & Bromine
<900 ppm Antimony
<100 ppm Red Phosphorus

请注意，虽然我们的无铅和绿色沙巴体育结算平台不包含任何故意添加的铅, 我们体内不含铅的部分不一定是绿色的, 因为它们可能含有卤素或锑化合物.

*这些物质不是美光公司在生产过程中有意添加的，但在用于生产成品的原材料中可能存在微量物质.
美光是否还在生产符合RoHS 5/6标准的零部件?
是的，除了我们的无铅化沙巴体育结算平台线，美光也支持RoHS 5/6沙巴体育结算平台. 我们认识到，某些申请可免于 RoHS指令.
哪里可以找到美光的绿色和RoHS沙巴体育结算平台的零件号?
美光的所有符合RoHS标准的存储沙巴体育结算平台可以在每个沙巴体育结算平台类型的零件列表表中找到. 要对单个零件号执行快速符合性检查，请使用“零件号搜索”工具. 有关绿色沙巴体育结算平台的信息，请联系当地的美光销售代表.
如何获得美光的RoHS认证?
通过导航到部件详细信息页面或使用主要沙巴体育结算平台系列导航，您可以找到特定于部件的RoHS合规证书.                       
美光的绿色沙巴体育结算平台如何符合国际标准?
美光的绿色工程项目符合rohs标准，符合世界上大多数新兴的环境标准, 包括亚洲和欧洲.
美光公司在其无铅化半导体中使用了什么材料?
  • 对焊料球, Micron公司正在用锡(Sn)取代锡铅合金(Sn36Pb2Ag或Sn37Pb), silver (Ag), 和铜(Cu)合金(例如.g.， sac105, sac305, sac405, lf35).
  • 对于模块上的锡膏，美光公司将Sn37Pb替换为Sn3.8Ag0.7Cu.
  • 对于含铅TSOP，美光公司正在用磨砂镀锡代替90Sn10Pb.
这些替代品确保美光的无铅部件符合rohs标准. 部件的表面安装温度为260°C.
美光何时完成从无铅化到绿色沙巴体育结算平台的转变?
美光目前可以为有需要的客户提供无铅化和绿色沙巴体育结算平台. 这些沙巴体育结算平台的可用性高度依赖于客户的需求, 以及“绿色”非记忆元件和材料的可用性.

有关更多信息，请联系当地的美光销售代表 销售网络 page).
ISO 14001 (5)
美光通过ISO 14001认证了吗?
1997年2月，美光科技股份有限公司., 是美国最早获得iso14001环境管理体系标准认证的公司之一吗. 美光被KEMA注册质量公司选中.作为ANSI-RAB国家认证计划的试点参与者，它是美国五所大学之一.S. 参与该计划的试点公司.
认证的基本要素是什么?
iso14001认证要求符合四个基本要素:
  • 环境管理体系的实施
  • 确保有适当的程序以保持符合适用的法规
  • 承诺持续改进
  • 致力于全面预防污染
什么是ISO 14001?
iso14001是自愿性的国际环境管理标准, 是什么确保组织拥有有效的环境系统. 它是相当于iso9000质量标准的环境标准. 许多国家和公司已经在全球范围内实施了ISO 9000质量标准.
谁认证微米?
在ISO 14000过程中, 公司的环境管理系统由第三方注册机构审核. 美光由KEMA注册质量公司审核. KEMA是国际标准化组织iso9000认证的全球全面服务第三方注册商, QS9000, 以及通过ANSI-RAB和RvA的iso14001标准, 同时也是多个CE营销领域的“公告机构”, 欧盟强制性沙巴体育结算平台认证. KEMA在全球拥有数以千计的客户，包括各种各样的沙巴体育结算平台和服务行业. KEMA专注于电子、信息技术和高科技制造领域.
美光为什么获得认证?
美光有一个非常积极的方法来遵守环境法规和保护我们的员工, our customers, 以及我们工作的社区. 我们为我们的环境和工人安全项目感到自豪. 我们认为符合最低限度的规定, 作为底线，工作要始终优于最低规定要求. iso14001与我们的公司和文化非常契合. 制定环境管理标准的主要推动力一直是对环境管理和责任的渴望. iso14001体现了一种方法, 哪些超越了法规遵从性，挑战组织对其环境项目进行评估, 不断提高, 并致力于有效的工艺和污染预防. 美光已经具备了符合iso14001标准所需的大部分元素. 我们认为这是我们的承诺得到承认的一个机会, 水平的努力, 以及成就记录.
Other (2)
一般沙巴体育结算平台(5)
IT部件的热信息是否发生变化?
热信息包括温度极限和热阻抗值. IT部件的温度限制确实发生变化(TC, TJ, and TA), 而热阻抗值(θJA, Theta JB, 而θJC)则没有，因为热阻抗主要取决于封装.
我的设计基于一个说明JTAG相对于VDD的规范(1.8V)，但现在我们发现JTAG实际上是相对于VDDQ (1.5V). It’s a fairly significant board spin to change this; what do I risk by leaving the design as-is? 我假设规格仍然是VDDQ + 0.3V = 1.8V，但对于CMOS部件，我无法保证它不会在过渡时超过这个值.
你的特殊板设计不应该成为主要的问题. 不管VDDQ电压如何，引脚都可以处理VDD电压.
在我们的点对点应用中，ECC存储芯片应该与其他两个主存储芯片共享芯片选择和CKE信号吗?
ECC芯片应该与其他设备共享相同的CKE和cs#，因为它们是作为相同的数据块访问的.
什么是“银行”?
存储单元是一组存储位的数组. 在一个DRAM组件中包含多个阵列或组. 根据密度的不同，DRAM组件可能由4或8个银行组成. 例如，一个银行可能由3千2百万行组成，每行4位. 这相当于128兆. 四个这样的银行组合在一个DRAM组件上可以产生512Mb的组件.
在匹配阻抗模式下，驱动器的阻抗公差是多少，相对于基于连接到ZQ引脚的完美参考电阻的期望值?
驱动器的阻抗公差为±15%.
ONFI (4)
你们的NAND部件是否符合onfi标准?
我们所有的50系列NAND设备及以上都是onfi兼容的.
ONFI将如何帮助加速基于nand的沙巴体育结算平台的上市时间?
ONFI主要通过两种方式改进了上市时间: 
1. 它通过提高NAND组件接口行为的一致性，简化了支持一系列组件的Flash控制器的设计. 
2. 它减少了Flash组件在最终应用程序中的设计时间，并允许使用新一代NAND组件，而无需更改设计或固件.
What is ONFI?
ONFI是Open NAND Flash Interface的缩写. ONFI是一个行业工作组，致力于将NAND闪存集成到消费电子沙巴体育结算平台中, 计算平台, 以及其他需要大量固态存储的应用. ONFI工作组为NAND Flash定义了标准化的组件级接口规范. ONFI还为NAND Flash定义了模块连接器和模块形状规格(类似于DRAM内存). 欲了解更多信息，请访问 www.onfi.org.
什么类型的沙巴体育结算平台将ONFI 2.我是第一个被看见的人?
ONFI提高了Flash组件嵌入到一系列沙巴体育结算平台的集成, 包括许多现在使用Flash的人, 例如移动电话, PDAs, MP3 players, 和笔记本. 然而，ONFI 2的好处.1将首先在PC平台上实现. 因为它的速度比ONFI 2快得多.1 delivers, ssd和缓存解决方案将能够为PC平台的工作负载带来实质性的好处.
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