NAND系统功率计算器|微米技术-沙巴体育结算平台

近似NAND系统的平均功耗有助于确定NAND设备功耗在系统功率预算中的作用，以及如何优化NAND操作的预算. 该工具提供了NAND读写程序-擦除-空闲-待机工作负载下每个主机通道的NAND电流/功耗和系统NAND功耗的估计.

本计算器的受众是了解所使用的NAND设备并希望估计NAND功耗的用户, type of NAND operations used, 以及它们各自的当前(Icc)规范. 本计算器的用户应了解系统的物理和操作特性，如(但不限于)NAND主机数据输入/输出接口速度, 系统并行使用的NAND lun /芯片, voltage supply levels to the NAND, NAND Read-Program-Erase-Idle-Standby工作负载, 电路板走线-控制器DQ总线-和其他物理系统元件的电容.

美光沙巴体育结算平台仅保证符合美光的数据表规格. 本工具、美光沙巴体育结算平台、程序和规格如有更改，恕不另行通知. 所有信息均按“现状”提供，不作任何形式的保证. 建议对计算输出进行额外验证，以确保准确性.

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主机系统使用DQ[7:0]或DQ[15:0]总线的并行NAND器件(1 = DQ[7:0] NAND器件使用), 2 = DQ[15:0] NAND device used)

This value should be either 1 or 2

NAND DQ[7:0]或NAND DQ[15:0]主机通道数

每个主机通道的NAND lun数量

每个主机通道的NAND CE#信号数量(假设按每个主机通道的NAND lun /die数量均匀分布)

Host NAND interface speed in MT/s (e.g. 50 for 50MT/s, 800 for 800MT/s, etc.)

不包括NAND器件的pF中每个NAND DQ[7:0]或NAND DQ[15:0]通道的主机系统容性负载 Learn More

Host system supplied NAND Vcc in Volts

主机系统以伏特提供NAND Vccq

主机系统以伏特提供NAND Vpp(如果使用)

每个主机NAND DQ[7:0]或NAND DQ[15:0]通道繁忙(SR5 = 0)，同时使用最多的读操作 Learn More

该值不应大于“每个主机通道的NAND lun数量”行中使用的值

每个主机NAND DQ[7:0]或NAND DQ[15:0]通道繁忙(SR5 = 0)，同时读取次数排在第二位 Learn More

该值不应大于“每个主机通道的NAND lun数量”行中使用的值

每个主机NAND DQ[7:0]或NAND[15:0]通道繁忙(SR5 = 0)，同时使用最多的程序操作 Learn More

该值不应大于“每个主机通道的NAND lun数量”行中使用的值

每个主机NAND DQ[7:0]或NAND DQ[15:0]通道同时使用最多Erase操作的繁忙(SR5 = 0) NAND lun数/die Learn More

该值不应大于“每个主机通道的NAND lun数量”行中使用的值

主机系统使用的NAND操作模式(1 =异步模式), 2 = NV-DDR/NV-DDR2/NV-DDR3/NV-LPDDR4模式)

This value should be either 1 or 2

NAND封装DQ[7:0]或DQ[15:0]通道的电容(pF)

每个主机NAND DQ[7:0]或DQ[15:0]通道缩短/共享的NAND包DQ[7:0]或DQ[15:0]通道的数量 Learn More

NAND阵列最常用的读操作的读电流(e.g. NAND Icc1 specification) in mA Learn More

第二大常用读取操作的读取电流(e.g. NAND Icc1 specification) in mA Learn More

大多数使用的NAND程序操作的程序电流(e.g. NAND Icc2 specification) in mA Learn More

大多数使用的擦除操作(e)的NAND擦除电流.g. NAND Icc3 specificaiton) in mA Learn More

大多数常用的读操作(如.g. NAND IPPA1规格(如果使用

第二常用读操作的NAND Vpp电流(e.g. NAND IPPA1规格(如果使用

程序操作的NAND Vpp电流(e.g. NAND IPPA2规范(如果使用

擦除操作的NAND Vpp电流(e.g. NAND IPPA3规格(如果使用

NAND standby current (e.g. NAND Isb and Isbq specification) in µA

NAND Idle current (e.g. Icc5 and Iccq5 specifications) in mA

NAND数据输出电流在NAND接口速度被使用(e.g. NAND Icc4r和Iccq4r规格)在mA

NAND数据输入电流在NAND接口速度被使用(e.g. NAND Icc4w和Iccq4w规格)，mA

Vccq导轨上的读电流(e.g. NAND Iccq1 specification) in mA

Vccq导轨上的NAND阵列程序电流(e.g. NAND Iccq2 specification) in mA

Vccq轨道上的擦除电流(e).g. NAND Iccq3 specification) in mA

Results

每个主机NAND通道的系统工作负载中断

Most used Read Operation %

Most used Program Operation %

% of time a NAND die is in Idle state

2nd most used Read Operation %

Most used Erase Operation %

NAND芯片处于待机状态的时间百分比

每个主机通道的NAND总功率(W)
Must add up to 100%

所有主通道的NAND总功率(W) Learn More
Must add up to 100%

Values for NAND LUNs/die busy with most used Read Operation

NAND系统每通道电流(毫安)

NAND system power per channel (in W)

NAND阵列操作期间的NAND Vcc电源轨

NAND阵列运行时的NAND Vccq电源轨

NAND Vcc power rail during data output

数据输出时的NAND Vccq电源导轨 Learn More

阵列操作期间的NAND Vpp电源导轨(如果使用)

Values for NAND LUNs/die busy with 2nd most used Read operation

NAND系统每通道电流(毫安)

NAND system power per channel (in W)

NAND阵列操作期间的NAND Vcc电源轨

NAND阵列运行时的NAND Vccq电源轨

NAND Vcc power rail during data output

数据输出时的NAND Vccq电源导轨 Learn More

阵列操作期间的NAND Vpp电源导轨(如果使用)

NAND lun /die busy，利用率最高 Program operation

NAND系统每通道电流(毫安)

NAND system power per channel (in W)

NAND阵列操作期间的NAND Vcc电源轨

NAND阵列运行时的NAND Vccq电源轨

NAND Vcc power rail during data input

NAND Vccq power rail during data input

阵列操作期间的NAND Vpp电源导轨(如果使用)

NAND lun /die busy，利用率最高 Erase operation

NAND系统每通道电流(毫安)

NAND system power per channel (in W)

NAND阵列操作期间的NAND Vcc电源轨

NAND阵列运行时的NAND Vccq电源轨

阵列操作期间的NAND Vpp电源导轨(如果使用)

Parallel NAND System Power Calculator

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Results

每个主机NAND通道的系统工作负载中断

Values for NAND LUNs/die busy with most used Read Operation

Values for NAND LUNs/die busy with 2nd most used Read operation

NAND lun /die busy，利用率最高 Program operation

NAND lun /die busy，利用率最高 Erase operation