chevron_leftBack

美国-英语 中国 印度-英语 日本 马来西亚-英语 新加坡-英语 台湾

3 d与非闪存

移动计算和数据中心不断增长的需求继续推动对高容量的需求, 高性能NAND闪存技术. 随着平面NAND接近其实际缩放极限, 每一代都要满足这些要求变得更加困难. 进入我们的3 d与非技术, 它采用创新的工艺架构，提供平面NAND技术3倍的容量，同时提供更好的性能和可靠性.

制造笔记本电脑等沙巴体育结算平台的系统设计师, 移动设备和服务器可以利用3 d与非前所未有的性能来满足企业和消费者日益增长的数据传输需求.

密度

选择密度
  • 128Gb
  • 256Gb
  • 512Gb
  • 1Tb
  • 2Tb
  • 4Tb
  • 8Tb
范围:128Gb - 8Tb
  • 位/单元
    MLC
  • Voltage
    3.3V
  • 包
    VBGA
  • Op. Temp.
    -40℃至+85℃
  • 位/单元
    SLC、薄层色谱
  • Voltage
    3.3V
  • 包
    晶片,VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃，-40℃至+85℃
  • 位/单元
    多层陶瓷,薄层色谱
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • 包
    晶片,VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃，-40℃至+85℃
  • 位/单元
    TLC
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • 包
    VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • 位/单元
    TLC
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • 包
    VBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • 位/单元
    TLC
  • Voltage
    2.5V, 3.3V
  • 包
    LBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
  • 位/单元
    TLC
  • Voltage
    3.3V
  • 包
    LBGA
  • Op. Temp.
    0℃至+70℃
3 d与非目录
View 128Gb 部分目录 View 128Gb 3 d与非部件目录
查看完整目录 查看完整的3 d与非部件目录

主打沙巴体育结算平台

3d nand MCP
移动TLC 3 d与非

如果你正在设计下一代移动用户体验, 美光创新的64层三层单元(TLC) 3 d与非技术解决了存储挑战.

了解更多 >

资源

选择正确的NAND

为设计人员提供了对每种类型的功能和优点的基本了解 NAND 要选择合适的Flash设备.

了解更多 >
3 d与非闪存传单

了解3D NAND，其容量是现有平面的3倍 NAND 技术，提供更好的性能和可靠性.

了解更多 >
快速的找到
搜索所有
+