DDR3 -它如何与DDR2比较?
新一代, 高性能的DDR3在功耗等关键领域突破了极限, 信号的速度, 和带宽，并带来了新的性能水平的桌面, notebook, 服务器计算应用. 以下是DDR3与DDR2对比的快照.
| 特性/选项 | DDR2 | DDR3 | DDR3优势 |
|---|---|---|---|
| 电压(核心和I/O) | 1.8V | 1.5V | 降低内存系统的电源需求 |
| 标准低压选项 | No | Yes (1.35V) | 提供低电压DDR2，匹配标准DDR3在1.5V |
| 密度(生产) | 256Mb到4Gb | 1Gb to 4Gb | 高密度组件可以用更少的芯片数量实现更大的内存子系统 |
| 预取(最小写突发) | 4-bit | 8-bit | 减少对堆芯速度的依赖，提高产量 |
| tCK -启用DLL | 125mhz ~ 400mhz | 300mhz ~ 800mhz | 支持更高的数据速率 |
| 数据速率(每引脚MT/s) | 533、667,800 Mb/s | 800、1066、1333、1600 Mb / s | 迁移到更高的数据带宽 |
| 突发长度(BL) | BL4, BL8 | BC4, BL8 | BC4减轻了一些“BL8”要求 |
| Burst type | 固定，通过LMR | (1)固定，通过MRS (2) OTF，“即时的” |
OTF允许在BC4和BL8之间切换，无需MRS命令 |
| 数据用闪光灯 | 差动或单端 | 只差 | 通过减少频闪串扰提高系统时序裕度 |
| 上模终止 | RTT: 50、75、150欧姆 | RTT: 20、30、40、60、120欧姆 | 更多的ODT选项提高了信号保真度并支持更高的数据速率 |
| 动态ODT | None | 120,60欧姆 | Improved signaling in multiple slots; pin reduction in point to point applications |
| 驱动阻抗 | 18 Ohm | 34 Ohm | 优化为2槽和点对点系统 |
| 驱动/ ODT校准 | None | 外部电阻器 | 提高电压和温度的精度 |
| 多用途寄存器 | None | 四个寄存器- 1定义了3个RFU | 支持读取校准 |
| 写水平 | None | DQS捕获CK, DQ 驱除CK的状态 |
取消模块使用的逐飞布局 |
| Modules |
240针SODIMM(无缓冲、注册、全缓冲) |
240-pin UDIMM; RDIMM, FBDIMM tbd; 204 -销SODIMM |
Improved layout, more form factors, and power delivery design; DDR3 also uses fly-by architecture |
| 芯片组的支持 | Legacy | Latest | 更新的芯片组特性 |
| 添加剂的延迟 | Yes | Yes | 具有CAS延迟的轨道 |